高质量的单晶样品对开展光电子能谱测量至关重要。与国内外研究组合作获得样品的同时,我们组也独立开展单晶样品的生长。目前主要的单晶生长方法包括浮区法、熔剂生长法和熔融电解法等,已成功生长出高温超导体单晶、重费米子单晶以及低维材料单晶等。

1.使用移行浮区法生长高质量La-Bi2201单晶
[Jianqiao Meng et. al. Supercond.Sci.Technol.22(2009)045010]

2.使用移行浮区法生长高质量Pb-Bi2201单晶
[ZHAO Lin et. al. CHIN. PHYS. LETT. Vol.27,No.8(2010)087401]

3.使用溶剂法生长高质量CeCoIn5单晶
[JIA Xiao-Wen et. al. CHIN. PHYS. LETT. Vol.28,No.5(2011)057401]

4.使用移行浮区法生长高质量Zn-Bi2212和Ni-Bi2212单晶
[LIU Shan-Yu et. al. CHIN. PHYS. LETT. Vol.29,No.8(2012)087401]